一种物理气相溅镀腔体
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摘要
本实用新型公开了一种物理气相溅镀腔体，包括一反应室；一靶材，设置于反应室顶部；一磁场发生器，设置于靶材上方；一晶片承载基座，设置于反应室底部，晶片承载基座的上表面为晶片承载面；一晶片，设置于晶片承载基座的承载面上，且与靶材相对；一环形晶片旁遮板，环绕晶片外边缘设置；一环形防镀遮板，设置于环形晶片旁遮板上方，遮挡环形晶片旁遮板。本实用新型通过在环形晶片旁遮板上方增设环形防镀遮板，可以把环形晶片盘遮板上的大部分的热以及金属薄膜都承接过来,使得环形晶片旁遮板不会发生镀膜金属流动到晶片边缘造成黏片的问题；同时还可以节省对于腔体通入气体降温的时间,增加产出，本实用新型结构简单，实用性强，制造成本低。
基本信息
专利标题 ：
一种物理气相溅镀腔体
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021688662.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-13
授权号 ：
CN212800522U
授权日 ：
2021-03-26
发明人 ：
易锦良林俊成郑耀璿
申请人 ：
鑫天虹（厦门）科技有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市火炬高新区（翔安）产业区洪溪南路9号A栋102
代理机构 ：
厦门律嘉知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
温洁
优先权 ：
CN202021688662.X
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2021-03-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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