一种物理气相沉积腔体配件装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种物理气相沉积腔体配件装置，包括第一组合腔、第二组合腔、凸柱、固定机构和顶片架；所述第一组合腔顶部的中央位置处设有顶口，所述第一组合腔表面底部的一周设有四组等距的L型插杆，所述第一组合腔的底部固定安装有第二组合腔，所述第二组合腔表面顶部的一周设有四组等距的插管，所述插管的一侧固定安装有固定机构。本实用新型设置了凸柱，第一组合腔和第二组合腔内部的两侧均设有凸柱，凸柱增大第一组合腔和第二组合腔内部两侧的表面积，从而可以提高第一组合腔和第二组合腔内部的附着力，使的第一组合腔和第二组合腔的内壁可以附着更多的附着物，使用时间更长，延长清理周期。
基本信息
专利标题 ：
一种物理气相沉积腔体配件装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022059007.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-18
授权号 ：
CN213232469U
授权日 ：
2021-05-18
发明人 ：
张建锐黄中山
申请人 ：
盛吉盛（宁波）半导体科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省宁波市鄞州区云龙镇石桥村
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202022059007.4
主分类号 ：
C23C14/22
IPC分类号 ：
C23C14/22
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
法律状态
2021-05-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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