一种全新的8英寸物理气相沉积钽腔体连接配件装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种全新的8英寸物理气相沉积钽腔体连接配件装置，包括：连接台和连接柱，所述连接柱设置在连接台的一端且与连接台一体成型，所述连接柱和连接台均为柱形结构，所述连接台和连接柱的外壁上均匀刻制有刻花，所述刻花包括若干条倾斜相交的凸条，所述凸条相交形成若干个六边形结构的空腔，所述连接柱表面的空腔面积小于连接台表面的空腔面积。本实用新型通过在配件表面的刻花，增大接触面积，能粘附更多的附属物，同时分散这些附着物的应力分布，附着的附属物不容易剥落，减小颗粒产生的几率，提高制程的质量，延长腔体保养的周期，从而提高机器的使用率，减小成本。
基本信息
专利标题 ：
一种全新的8英寸物理气相沉积钽腔体连接配件装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021699842.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-15
授权号 ：
CN212925146U
授权日 ：
2021-04-09
发明人 ：
刘祥超
申请人 ：
上海知昊电子科技有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区川宏路528号
代理机构 ：
上海领洋专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
俞晨波
优先权 ：
CN202021699842.8
主分类号 ：
C23C14/22
IPC分类号 ：
C23C14/22
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
法律状态
2021-04-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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