具熔接结构的导电端子

授权

摘要

本实用新型主要揭示一种具熔接结构的导电端子，其包括：一主体以及一第一导电单元。所述主体包括一第一连接部，形成于所述主体的一端。并且，所述第一导电单元包括一第一连接端，连接所述第一连接部。其中，所述主体还包括形成于所述主体的另一端的一第二连接部，且一第二导线单元的一第二连接端连接于所述第二连接部。值得说明的是，所述主体还包括位于所述第一连接部与所述第二连接部之间的一端子连接件，且所述端子连接件的半径小于所述第一连接部与第二连接部的半径。

基本信息

专利标题：

具熔接结构的导电端子

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202022021216.X

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-09-16

授权号：

CN213959175U

授权日：

2021-08-13

发明人：

张俊云何应松叶大丰吕正伟邱佳誉

申请人：

东莞崧腾电子有限公司;崧腾电子(苏州)有限公司;崧腾企业股份有限公司

申请人地址：

广东省东莞市长安镇上角社区上振二路8号

代理机构：

北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

任媛

优先权：

CN202022021216.X

主分类号：

H01R13/02

IPC分类号：

H01R13/02 H01R4/02