一种冷壁法CVD沉积装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种冷壁法CVD沉积装置，包括底座、沉积管、马达和弹性块，所述底座的底表面固定安装有沉积箱，沉积箱的顶端内部贯穿安装有沉积管，所述沉积管的内部中间固定安装有轴座，轴座中间设有框架，且框架通过轴杆转动安装在轴座的中间，所述框架的内部开设有嵌口，嵌口的内部一侧开设有第二凹口，嵌口的内部另一侧设有第一凹口，第一凹口开设在抵板的内部。本实用新型在沉积管的内部中间固定安装了一个可翻转的框架，将需要加工的晶片嵌入固定在框架内部，在沉积加工晶片一面后工作人员可控制马达转动框架使其晶片另一面可被加工，达到了方便工作人员使用以及节省时力和材料的效果。
基本信息
专利标题 ：
一种冷壁法CVD沉积装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022042738.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-17
授权号 ：
CN213327826U
授权日 ：
2021-06-01
发明人 ：
李长栋魏承亚魏茂奎
申请人 ：
山东沐东真空科技有限公司
申请人地址 ：
山东省聊城市阳谷县博济桥办事处谷山路南段（建委对过）
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202022042738.8
主分类号 ：
C23C16/458
IPC分类号 ：
C23C16/458 C23C16/44
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/458
在反应室中支承基体的方法
法律状态
2021-06-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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