PA－SiN的化学气相沉积法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了一种PA－SiN的化学气相沉积法，该方法为：1)加热基板；2)在PA－SiN成膜前，在氢气等离子增强气相沉积过程中，将电源功率加大到500瓦/平方米；3)在PA－SiN成膜开始后，A)将硅烷流量加大到8400毫升/平方米，将电源功率降低到1000瓦/平方米，并持续10秒钟；B)将硅烷流量通过多次降低至4500毫升/平方米，电源功率通过多次提高至2000瓦/平方米。本发明的方法可有效地降低在液晶显示模块的G线端子部做蚀刻时导致的蚀刻形状不良，从而有效降低端子部电阻。
基本信息
专利标题 ：
PA－SiN的化学气相沉积法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1995452A
申请号 ：
CN200510112254.3
公开（公告）日 ：
2007-07-11
申请日 ：
2005-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴宾宾
申请人 ：
上海广电NEC液晶显示器有限公司
申请人地址 ：
201108上海市闵行区华宁路3388号
代理机构 ：
上海智信专利代理有限公司
代理人 ：
薛琦
优先权 ：
CN200510112254.3
主分类号 ：
C23C16/513
IPC分类号 ：
C23C16/513 C23C16/52
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/50
借助放电的
C23C16/513
采用等离子流
法律状态
2010-02-24 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-08-13 ：
实质审查的生效
2007-07-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
