一种冷壁化学气相沉积装置
授权
摘要
本新型属于化学气相沉积设备领域，公开了一种冷壁化学气相沉积装置，所述冷壁化学气相沉积装置包括：设置有化学沉积反应区的主腔体，所述化学沉积反应区处设置有用于提供化学沉积反应所需温度的第一加热装置；气体源装置，设置在所述主腔体外部，用于向所述化学沉积反应区提供前驱体为气体的第一待反应气体；设置在所述主腔体内的副腔体，所述副腔体用于加热固态源以向所述化学沉积反应区提供前驱体为固体的第二待反应气体。本新型能够提高冷壁化学气相沉积装置的集成性。
基本信息
专利标题 ：
一种冷壁化学气相沉积装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920775701.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-24
授权号 ：
CN210506514U
授权日 ：
2020-05-12
发明人 ：
孔伟成赵勇杰
申请人 ：
合肥本源量子计算科技有限责任公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市合肥市高新区创业产业园二期E2栋6层
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201920775701.0
主分类号 ：
C23C16/44
IPC分类号 ：
C23C16/44
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
法律状态
2020-05-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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