下电极及化学气相沉积装置
授权
摘要
本发明公开了一种下电极及化学气相沉积装置，该下电极包括基座、设置于所述基座上的承载板以及镀在所述承载板表面的阳极膜；其中，所述阳极膜包括第一区域以及包围所述第一区域设置的第二区域，所述第一区域的表面粗糙度为第一粗糙度，所述第二区域的表面粗糙度为第二粗糙度，所述第一粗糙度大于所述第二粗糙度，所述承载板用于承载玻璃基板，且所述玻璃基板的四角位于所述第二区域。本发明通过改变下电极阳极膜内第一区域和第二区域的形状，使得化学气相沉积制程中玻璃基板的四角位于所述第二区域，从而减少了玻璃基板下表面边缘因与下电极挤压而产生的刮伤，提高了OLED产品的生产良率。
基本信息
专利标题 ：
下电极及化学气相沉积装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111041452A
申请号 ：
CN201911222447.2
公开（公告）日 ：
2020-04-21
申请日 ：
2019-12-03
授权号 ：
CN111041452B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
兰天宇
申请人 ：
武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道666号光谷生物创新园C5栋305室
代理机构 ：
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 ：
李新干
优先权 ：
CN201911222447.2
主分类号 ：
C23C16/44
IPC分类号 ：
C23C16/44 H01L51/56
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2020-05-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/44
申请日 : 20191203
申请日 : 20191203
2020-04-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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