一种冷壁法CVD沉积设备
授权
摘要
本实用新型公开一种冷壁法CVD沉积设备，涉及CVD沉积设备技术领域。该CVD沉积设备包括设备框架，安装于设备框架上的设备主体，设备主体呈中空圆筒状，设备主体的内部设有保温腔，保温腔的内腔设有加热沉积机构；加热沉积机构包括碳硅棒、陶瓷管、基材管、第一法兰、第二法兰；陶瓷管贯穿设备主体横向的两端且通过卡扣紧固。工作时由进气口通入原料气体CH4、H2、Ar，原料气体进入腔体内后，CH4集中在加热体附近裂解，并在加热体上放置的基材管上沉积生长。本实用新型采用加热体直接置于管体内部的形式，充分利用加热体所产生的热能，并在外管陶瓷冷壁的加持下，所制备得到的薄膜质量更高，纯度更高。
基本信息
专利标题 ：
一种冷壁法CVD沉积设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921171307.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-24
授权号 ：
CN210314476U
授权日 ：
2020-04-14
发明人 ：
孔令杰荣华虹李明李松
申请人 ：
合肥百思新材料研究院有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市巢湖经济开发区和平大道与秀湖路交叉口西北角
代理机构 ：
北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
胡剑辉
优先权 ：
CN201921171307.2
主分类号 ：
C23C16/26
IPC分类号 ：
C23C16/26 C23C16/455 C23C16/458 C23C16/46
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/26
仅沉积碳
法律状态
2020-04-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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