变折射率薄膜的单源真空沉积法
专利权的终止
摘要
本发明属于薄膜的制备方法。目前，关于变折射率材料(光纤、成像元件、光波导等)的制造方法较多，大多纯属化学法。真空蒸发法及溅射法又只能得到均匀折射率薄膜。本发明是采用单个电子束蒸发源，实行真空蒸发，在基底上获得变折射率薄膜，是一种物理法。此法获得变折射率膜的关键是膜科的选配工艺和采用电子束定域加热。此法与化学法相比，在制备工艺上具有较大的自由度的优点。本发明适用于制备微型光学元件或光集成元件所需的变折射率薄膜。
基本信息
专利标题 ：
变折射率薄膜的单源真空沉积法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85100569A
申请号 ：
CN85100569.1
公开（公告）日 ：
1986-07-02
申请日 ：
1985-04-01
授权号 ：
CN85100569B
授权日 ：
1988-06-01
发明人 ：
庞叔鸣
申请人 ：
南京工学院
申请人地址 ：
江苏省南京市四牌楼二号
代理机构 ：
南京工学院专利事务所
代理人 ：
楼高潮
优先权 ：
CN85100569.1
主分类号 ：
H01L21/203
IPC分类号 ：
H01L21/203 C23C14/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
H01L21/203
应用物理沉积的，例如真空沉积，溅射
法律状态
1990-08-15 ：
专利权的终止
1989-03-01 ：
授权
1988-06-01 ：
审定
1986-07-02 ：
公开
1986-06-10 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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