用于薄膜沉积设备的源瓶和半导体设备
授权
摘要
一种用于薄膜沉积设备的源瓶和半导体设备，用于薄膜沉积设备的源瓶包括源瓶本体、设于源瓶本体内且相连接的内转动件和用于承载固态源的承载件、设于源瓶本体外的外转动件、以及用于驱动外转动件转动的驱动组件，其中，外转动件能够通过磁力作用驱动内转动件转动进而带动承载件转动，以搅拌固态源。外转动件能够通过磁力作用驱动内转动件转动进而带动承载件转动，以搅拌固态源，从而可以防止固态源凝结。
基本信息
专利标题 ：
用于薄膜沉积设备的源瓶和半导体设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110453197A
申请号 ：
CN201810424333.5
公开（公告）日 ：
2019-11-15
申请日 ：
2018-05-07
授权号 ：
CN110453197B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
兰云峰史小平李春雷王勇飞王帅伟
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京思创毕升专利事务所
代理人 ：
孙向民
优先权 ：
CN201810424333.5
主分类号 ：
C23C16/44
IPC分类号 ：
C23C16/44 C23C16/455
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2019-12-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/44
申请日 : 20180507
申请日 : 20180507
2019-11-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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