基板的支撑装置及PECVD设备
授权
摘要
本实用新型提供一种基板的支撑装置及PECVD设备,基板的支撑装置,包括基座和与基座上配合设置的可升降的支撑机构,基座设有多个通孔,通孔的内侧壁嵌套有第一磁性件;支撑机构包括多个支撑件,支撑件上具有与第一磁性件的磁性相同的第二磁性件,支撑件与通孔一一对应设置,以使支撑件的顶端可经通孔伸出至基座表面,并保持支撑件的外侧壁与通孔的内侧壁之间具有间隙。本实用新型提供的基板的支撑装置及PECVD设备,能减少支撑件与通孔摩擦产生的颗粒,提高产品的良品率。
基本信息
专利标题 :
基板的支撑装置及PECVD设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202022094915.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-09-22
授权号 :
CN213113505U
授权日 :
2021-05-04
发明人 :
敬启毓蒋雷黄学勇谢超邵博段乐乐
申请人 :
成都中电熊猫显示科技有限公司
申请人地址 :
四川省成都市双流区公兴街道青栏路1778号
代理机构 :
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 :
弋梅梅
优先权 :
CN202022094915.7
主分类号 :
C23C16/458
IPC分类号 :
C23C16/458 C23C16/50
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/458
在反应室中支承基体的方法
法律状态
2021-05-04 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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