IGBT功率模块端子
授权
摘要
本发明公开了一种IGBT功率模块端子，包括第一连接部、与第一连接部连接的第二连接部和与第二连接部连接且与裸铜基板焊接的焊接部，第一连接部具有第一背面，第二连接部具有第二背面，第一背面与第二背面相连接且第一背面与第二背面之间的夹角为80‑90°，焊接部的宽度为第二连接部的宽度的1.5‑2倍。本发明的IGBT功率模块端子，焊接受力点内弯80‑90°，可以在超声焊接过程中减少对焊接面的拉拽力；同时增大了焊接接触面积，增强焊接面的结合强度，提高产品质量。
基本信息
专利标题 ：
IGBT功率模块端子
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022436989.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-28
授权号 ：
CN213988879U
授权日 ：
2021-08-17
发明人 ：
陶少勇杨幸运刘磊
申请人 ：
安徽瑞迪微电子有限公司
申请人地址 ：
安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区科技产业园1号楼2层209
代理机构 ：
芜湖安汇知识产权代理有限公司
代理人 ：
朱顺利
优先权 ：
CN202022436989.4
主分类号 ：
H01L23/498
IPC分类号 ：
H01L23/498 H01L29/739
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/498
引线位于绝缘衬底上的
法律状态
2021-08-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
