半桥IGBT功率模块的信号端子
授权
摘要
半桥IGBT功率模块的信号端子。提供了一种加工简便、制造成本低、提高焊点寿命的半桥IGBT功率模块的信号端子。包括电性连接部、支撑部和缓冲部；所述电性连接部与支撑部一体成型，并设有用于限位拉伸的肩部；所述缓冲部靠近顶部位置与支撑部的侧面固定连接，靠近底部位置与支撑部间隔设置；所述缓冲部的底部成C型结构。本实用新型具有加工简便、制造成本低、提高焊点寿命等特点。
基本信息
专利标题 ：
半桥IGBT功率模块的信号端子
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123426383.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
CN216450630U
授权日 ：
2022-05-06
发明人 ：
金晓行陈继李冯赵冬王玉林王毅
申请人 ：
扬州扬杰电子科技股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省扬州市邗江区平山堂北路江阳创业园三期
代理机构 ：
扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
郭翔
优先权 ：
CN202123426383.3
主分类号 ：
H01L23/488
IPC分类号 ：
H01L23/488
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
法律状态
2022-05-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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