一种DFN3333-8A高密度框架
授权
摘要
本实用新型涉及芯片封装制造技术领域，一种DFN3333‑8A高密度框架，包括框架，框架上设有多个芯片安装单元，芯片安装单元通过横向筋与竖向筋连接，每个芯片安装单元相对的两边分别各设有四个管脚，管脚连接有管脚横向筋，芯片安装单元内设有一个基岛，基岛与管脚存在间隙，竖向筋与管脚横向筋相交处设有一个一字加强筋，间隙两侧的竖向筋上沿竖向设有第一加强筋，第一加强筋沿竖向长度大于间隙间距。本实用新型框架在竖向筋与管脚横向筋相交处只设置一个一字加强筋，间隙两侧的竖向筋上沿竖向设有长度大于间隙的第一加强筋，既能保证框架的强度又能改善塑封后框架的翘曲问题。
基本信息
专利标题 ：
一种DFN3333-8A高密度框架
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022481667.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-11-02
授权号 ：
CN212136437U
授权日 ：
2020-12-11
发明人 ：
崔金忠樊增勇董勇许兵任伟李宁刘剑
申请人 ：
成都先进功率半导体股份有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市高新西区科新路8-88号
代理机构 ：
四川力久律师事务所
代理人 ：
范文苑
优先权 ：
CN202022481667.1
主分类号 ：
H01L23/495
IPC分类号 ：
H01L23/495
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/495
引线框架的
法律状态
2020-12-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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