一种DFN1110-3A高密度框架
授权
摘要
本实用新型涉及半导体封装制造技术领域，特别是一种DFN1110‑3A高密度框架，包括板状结构的矩形框架，所述框架上设有多个芯片安装单元，横向相邻的芯片安装单元之间设有竖向连筋；所述芯片安装单元设有第一管脚和芯片区域，所述第一管脚和所述芯片区域之间为芯片安装单元镂空区；所述竖向连筋包括第一加强筋；所述第一加强筋的长度大于所述芯片安装单元镂空区的宽度；所述第一加强筋的一端连接所述第一管脚；所述第一加强筋的另一端连接所述芯片区域。将竖向连筋中的一部分设置加强筋，且与芯片安装单元镂空区域相匹配。充分利用了芯片区域与加强筋之间的强度互补关系，减少了材料用量，降低了制造成本。
基本信息
专利标题 ：
一种DFN1110-3A高密度框架
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022502092.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-11-02
授权号 ：
CN212967689U
授权日 ：
2021-04-13
发明人 ：
崔金忠樊增勇董勇许兵任伟李宁刘剑
申请人 ：
成都先进功率半导体股份有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市高新西区科新路8-88号
代理机构 ：
四川力久律师事务所
代理人 ：
张浩
优先权 ：
CN202022502092.7
主分类号 ：
H01L23/495
IPC分类号 ：
H01L23/495
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/495
引线框架的
法律状态
2021-04-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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