一种DFN2030-6高密度框架
授权
摘要
本实用新型涉及芯片封装制造技术领域，特别是一种DFN2030‑6高密度框架，框架包含多个芯片安装单元，每个芯片安装单元相对的两边分别各设有三个引脚，芯片安装单元内设有一个芯片安装部，横向上相邻芯片安装部通过第一连接件对应相连通，横向上相邻芯片安装单元内同一侧引脚通过第一连接件对应相连通，纵向上所有第一连接件通过第二连接件相连通，第二连接件均设成半腐蚀结构，芯片安装部与对应引脚存在间隙，间隙两侧对应的第二连接件上沿纵向设有加强筋，加强筋沿纵向长度大于间隙的间距。本实用新型框架通过上述设计，改善了间隙和没有连接第二连接件的第一连接件之间的间隔会削弱所述框架的整体强度的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种DFN2030-6高密度框架
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022493985.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-11-02
授权号 ：
CN212907724U
授权日 ：
2021-04-06
发明人 ：
李东李博洪伟刘剑
申请人 ：
成都先进功率半导体股份有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市高新西区科新路8-88号
代理机构 ：
四川力久律师事务所
代理人 ：
范文苑
优先权 ：
CN202022493985.X
主分类号 ：
H01L23/495
IPC分类号 ：
H01L23/495
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/495
引线框架的
法律状态
2021-04-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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