芯片及制备方法、接收芯片、测距装置、可移动平台
实质审查的生效
摘要
一种背照式雪崩光电二极管芯片及制备方法、接收芯片、测距装置、可移动平台。该制备方法包括：提供重掺杂的衬底，衬底包括相对设置的第一表面和第二表面，在第一表面上形成有外延层(S1)；在外延层中形成背照式雪崩光电二极管阵列(S2)；形成硅通孔，硅通孔贯穿外延层并部分地嵌入衬底,硅通孔的侧壁为竖直的(S3)；在硅通孔上形成布线层(S4)；减薄衬底，以在第二表面露出所述硅通孔(S5)。该背照式雪崩光电二极管芯片为高集成度、阵列化的接收芯片，即面阵化的APD芯片，拥有更稳定的性能和优异的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
芯片及制备方法、接收芯片、测距装置、可移动平台
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114556594A
申请号 ：
CN202080014748.0
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2020-09-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
罗飞宇马亮亮郑国光黄潇洪小平
申请人 ：
深圳市大疆创新科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区高新南区粤兴一道9号香港科大深圳产学研大楼6楼
代理机构 ：
北京市磐华律师事务所
代理人 ：
高伟
优先权 ：
CN202080014748.0
主分类号 ：
H01L31/107
IPC分类号 ：
H01L31/107 H01L31/18
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/107
申请日 : 20200927
申请日 : 20200927
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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