二极管及其制备方法、接收芯片、测距装置、可移动平台
实质审查的生效
摘要
本申请提供了一种雪崩光电二极管及其制备方法、接收芯片、测距装置、可移动平台。所述制备方法包括：提供形成有外延层的衬底；对所述外延层进行第一掺杂类型的第一离子注入，以形成第一掺杂层，其中，所述第一离子注入的峰值浓度的深度为大于或等于2μm，所述第一离子注入的剂量为1×1012cm‑3～3×1012cm‑3；对所述外延层进行第二掺杂类型的第二离子注入，以形成第二掺杂层，所述第二掺杂层位于所述第一掺杂层的上方；其中，所述第一掺杂类型和所述第二掺杂类型不同，所述第一掺杂层和所述第二掺杂层以及所述第一掺杂层和所述第二掺杂层之间的区域构成所述雪崩光电二极管的雪崩区。
基本信息
专利标题 ：
二极管及其制备方法、接收芯片、测距装置、可移动平台
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114556533A
申请号 ：
CN202080014793.6
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2020-09-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王国才卢栋郑国光
申请人 ：
深圳市大疆创新科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区高新南区粤兴一道9号香港科大深圳产学研大楼6楼
代理机构 ：
北京市磐华律师事务所
代理人 ：
汪洋
优先权 ：
CN202080014793.6
主分类号 ：
H01L21/329
IPC分类号 ：
H01L21/329 H01L31/107
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/328
制造双极型器件，例如二极管、晶体管、晶闸管的台阶式工艺
H01L21/329
包括1个或两个电极的器件，例如二极管
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/329
申请日 : 20200927
申请日 : 20200927
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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