器件及其制备方法、接收芯片、测距装置、可移动平台
公开
摘要
本申请提供了一种半导体器件及其制备方法、接收芯片、测距装置、可移动平台。所述半导体器件包括：外延层，包括相对设置的第一表面和第二表面；若干个雪崩光电二极管，形成于所述外延层的第一表面，入射光从所述外延层的第二表面入射至所述雪崩光电二极管；若干个第一电极，相互间隔地形成于所述外延层的第一表面上并完全覆盖与其上下对应的所述雪崩光电二极管；第二电极，包括形成于所述外延层的第二表面的重掺杂区。所述半导体器件改善了由于衬底光生载流子扩散及衬底杂质扩散引起的拖尾问题，可以在保持量子效率不变的情况下，改善光生载流子的屏蔽效应，改善延迟。
基本信息
专利标题 ：
器件及其制备方法、接收芯片、测距装置、可移动平台
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114631186A
申请号 ：
CN202080014790.2
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-09-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王国才卢栋郑国光
申请人 ：
深圳市大疆创新科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区高新南区粤兴一道9号香港科大深圳产学研大楼6楼
代理机构 ：
北京市磐华律师事务所
代理人 ：
汪洋
优先权 ：
CN202080014790.2
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146 H01L31/107
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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