一种片上光电集成接收前端芯片的制备方法
授权
摘要
本发明公开了一种片上光电集成接收前端芯片的制备方法，该方法通过将光电探测器从原衬底上剥离转移至跨阻放大器芯片所在衬底表面，并通过片上布线的方式实现探测器与跨阻放大器之间信号的互联；本发明充分发挥磷化铟(InP)PIN+HBT光电集成接收前端芯片的器件组合优势，又可以解决传统单片集成PIN+HBT共享生长法所面临的性能折中的瓶颈，提升芯片的整体性能：本方法采用剥离转移方法将非同衬底上生长并完成工艺的探测器集成在已完成工艺的跨阻放大器衬底上，实现最优性能下二者器件之间的近距离集成，提升最终光电集成接收前端芯片的性能。本发明有望推广至其他光电集成芯片的制造领域，具有较好的通用性。
基本信息
专利标题 ：
一种片上光电集成接收前端芯片的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113871378A
申请号 ：
CN202111065370.X
公开（公告）日 ：
2021-12-31
申请日 ：
2021-09-12
授权号 ：
CN113871378B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
王宇轩李冠宇孔月婵陈堂胜
申请人 ：
南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市秦淮区永智路6号南京白下高新技术产业园区四号楼1006室
代理机构 ：
南京理工大学专利中心
代理人 ：
陈鹏
优先权 ：
CN202111065370.X
主分类号 ：
H01L25/16
IPC分类号 ：
H01L25/16 H01L21/50 H01L31/105 H01L31/0304 H01L29/73 H01L29/20
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/16
包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个不同大组内的类型的器件，例如构成混合电路的
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2022-01-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 25/16
申请日 : 20210912
申请日 : 20210912
2021-12-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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