经由去除第一溅射材料的部分而形成III族压电薄膜的方法
公开
摘要
一种形成压电薄膜的方法，包括：溅射衬底的第一表面以在衬底上提供包括AlN、AlScN、AlCrN、HfMgAlN或ZrMgAlN的压电薄膜；加工衬底的第二表面以从衬底的第二表面下方提供压电薄膜的暴露表面，衬底的第二表面与衬底的第一表面相对，其中，压电薄膜的暴露表面包括第一结晶质量部分，去除压电薄膜的暴露表面的部分以访问由第一结晶质量部分覆盖的第二结晶质量部分，其中，第二结晶质量部分具有比第一结晶质量部分更高的质量，以及加工第二结晶质量部分以在第二结晶质量部分上提供声谐振器器件。
基本信息
专利标题 ：
经由去除第一溅射材料的部分而形成III族压电薄膜的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114286873A
申请号 ：
CN202080057618.5
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2020-08-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
克雷格·莫杰弗里·B·谢利玛丽·温特斯金大何阿布海·萨兰斯瓦鲁普·科赫哈尔
申请人 ：
阿库斯蒂斯有限公司
申请人地址 ：
美国北卡罗来纳州亨特维尔
代理机构 ：
北京高沃律师事务所
代理人 ：
刘芳
优先权 ：
CN202080057618.5
主分类号 ：
C23C14/34
IPC分类号 ：
C23C14/34 H01J37/34 H01L41/08 H03H9/58 H03H3/02 H03H9/17
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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