存储设备和存储单元
公开
摘要
本公开的实施例的存储设备包括：第一电极；第二电极；存储层，在第一电极和第二电极之间提供并且至少包括铜、铝、锆和碲；以及阻挡层，在存储层和第二电极之间提供并且包括浓度至少高于存储层的锆，该阻挡层在与第二电极的界面处具有低于存储层的铜浓度。
基本信息
专利标题 ：
存储设备和存储单元
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114365291A
申请号 ：
CN202080063752.6
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2020-08-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
水口彻也荒谷胜久
申请人 ：
索尼半导体解决方案公司
申请人地址 ：
日本神奈川
代理机构 ：
中国贸促会专利商标事务所有限公司
代理人 ：
秦晨
优先权 ：
CN202080063752.6
主分类号 ：
H01L27/24
IPC分类号 ：
H01L27/24 H01L45/00
法律状态
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
