用于防止在制造高深宽比特征过程中退化的掩模封装
实质审查的生效
摘要
一种用于制造具有非常严密的关键尺寸控制的高深宽比特征的工具和方法，其用于通过以下方式来处理衬底：封装掩模以防止在回蚀刻期间退化，从而防止特征衬垫材料在沉积‑蚀刻循环期间夹断开口。
基本信息
专利标题 ：
用于防止在制造高深宽比特征过程中退化的掩模封装
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114503240A
申请号 ：
CN202080069284.3
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-09-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
卡普·瑟里什·雷迪乔恩·亨利弗朗西斯·斯隆·罗伯茨
申请人 ：
朗姆研究公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
上海胜康律师事务所
代理人 ：
樊英如
优先权 ：
CN202080069284.3
主分类号 ：
H01L21/033
IPC分类号 ：
H01L21/033 H01L21/308 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
H01L21/033
包括无机层的
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/033
申请日 : 20200923
申请日 : 20200923
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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