一种氮化-净化去除冶金硅中硼杂质的方法
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摘要

一种氮化‑净化去除冶金硅中硼杂质的方法,属于冶金材料领域。本发明向冶金级硅熔体中加入氮化剂,氮化剂的加入可将硅熔体中的硼杂质转化为氮化物颗粒,而后对氮化后的硅熔体施加电磁力将氮化物颗粒向硅熔体周围聚集,再将硅熔体和氮化物颗粒进行强制冷却并分离,并利用上述分离出的富含氮化物颗粒的多晶硅生产氮化硅;由于氮化物颗粒与硅熔体之间存在明显的导电率差异,因此在电磁力的作用下,氮化物颗粒会富集至熔体周围,从而实现硼杂质和硅熔体的有效分离;此外,将富含氮化物颗粒的多晶硅粉碎,加入氯化铵并在流动性N2气氛下氮化处理得到氮化硅产物;利用富含氮化物的多晶硅,实现资源的高效利用,提高技术经济性。

基本信息
专利标题 :
一种氮化-净化去除冶金硅中硼杂质的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN112794332A
申请号 :
CN202110038313.6
公开(公告)日 :
2021-05-14
申请日 :
2021-01-12
授权号 :
CN112794332B
授权日 :
2022-05-24
发明人 :
张立峰李亚琼任英杨文罗艳姜东滨音正元
申请人 :
北京科技大学;燕山大学
申请人地址 :
北京市海淀区学院路30号
代理机构 :
北京市广友专利事务所有限责任公司
代理人 :
张仲波
优先权 :
CN202110038313.6
主分类号 :
C01B33/037
IPC分类号 :
C01B33/037  C01B21/068  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素;其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/02
C01B33/037
纯化
法律状态
2022-05-24 :
授权
2021-06-01 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C01B 33/037
申请日 : 20210112
2021-05-14 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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