一种改进的CVD设备、以及用改进的CVD设备实现共渗沉积...
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摘要
本发明公开了一种改进的CVD设备、以及用改进的CVD设备实现共渗沉积铝硅涂层的制备方法；本发明设计的应用于铝硅共渗涂层制备的改进CVD设备，其包括反应气供气单元、改进CVD单元和废气处理单元。沉积反应室内设置有一区和二区的不同温度环境。应用改进的CVD设备进行改进CVD工艺加工时，一区温度场进行化学气相沉积，二区温度场进行原位真空扩散退火。采用本发明改进的CVD设备并配合本发明改进CVD工艺在涡轮发动机热端部件上共渗沉积铝硅涂层，制得的共渗沉积铝硅涂层在1150℃、100h氧化增重为1.5mg/cm2～3.5mg/cm2，抗氧化能力高。
基本信息
专利标题 ：
一种改进的CVD设备、以及用改进的CVD设备实现共渗沉积铝硅涂层的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112981368A
申请号 ：
CN202110147304.0
公开（公告）日 ：
2021-06-18
申请日 ：
2021-02-03
授权号 ：
CN112981368B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
彭徽于海原毕晓昉张恒
申请人 ：
北航（四川）西部国际创新港科技有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市天府新区成都直管区正兴镇凉风顶村3组303号
代理机构 ：
北京永创新实专利事务所
代理人 ：
冀学军
优先权 ：
CN202110147304.0
主分类号 ：
C23C16/44
IPC分类号 ：
C23C16/44 C23C16/42 C23C16/56 C23C12/02
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2021-07-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/44
申请日 : 20210203
申请日 : 20210203
2021-06-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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