具有在凹部上方的栅极结构的集成芯片及其形成方法
实质审查的生效
摘要
本公开涉及一种集成芯片，包括：衬底，具有安置在第一高度处的第一顶部表面；安置在第二高度处的第二顶部表面，第二高度小于第一高度；以及从第一顶部表面延伸到第二顶部表面的连接表面。第一源极/漏极区沿衬底的第一顶部表面安置。第二源极/漏极区沿衬底的第二顶部表面安置且通过衬底的通道区与第一源极/漏极区横向间隔开。栅极结构布置于第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间。栅极结构从衬底的第一顶部表面上方延伸到衬底的连接表面上方。栅极结构还在衬底的第一顶部表面下方延伸。
基本信息
专利标题 ：
具有在凹部上方的栅极结构的集成芯片及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361173A
申请号 ：
CN202110171809.0
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-02-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄咏胜刘铭棋
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
南京正联知识产权代理有限公司
代理人 ：
顾伯兴
优先权 ：
CN202110171809.0
主分类号 ：
H01L27/1157
IPC分类号 ：
H01L27/1157
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/1157
申请日 : 20210208
申请日 : 20210208
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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