一种外延设备的气体供应方法及装置
授权
摘要

本发明公开了一种外延设备的气体供应方法及装置,支撑组件的壳体、底座和控制盒连接,第一加热组件的多个第一安装板设置在壳体的第一安装槽内,第一支撑板和多个第一安装板连接,多个第一加热电阻分别设置在多个第一安装板内,第二加热组件的多个第二安装板设置在壳体的第二安装槽内,第二支撑板和多个第二安装板连接,多个第二加热电阻分别设置在多个第二安装板内。交叉设置的第一安装板和第二安装板可以形成气体流通的弯曲回路,极大地增加了加热器件和气体的接触面积,从而可以更加高效地进行加热,通过输出组件可以将气体排出,从而可以方便地对反应气进行加热,提高加热效率。

基本信息
专利标题 :
一种外延设备的气体供应方法及装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113026098A
申请号 :
CN202110231567.X
公开(公告)日 :
2021-06-25
申请日 :
2021-03-02
授权号 :
CN113026098B
授权日 :
2022-04-22
发明人 :
廖秋林秦月明赵肃
申请人 :
桂林雷光科技有限公司
申请人地址 :
广西壮族自治区桂林市七星区高新区信息产业园D-08地块1#生产车间
代理机构 :
桂林文必达专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
张学平
优先权 :
CN202110231567.X
主分类号 :
C30B25/14
IPC分类号 :
C30B25/14  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长,例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/14
气体供给或排出用的装置;反应气流的变换
法律状态
2022-04-22 :
授权
2021-07-13 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 25/14
申请日 : 20210302
2021-06-25 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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