一种集成电路全抗静电基座制作方法
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摘要

本发明涉及集成电路技术领域,具体涉及一种集成电路全抗静电基座制作方法。在电路基板上蚀刻出多条间距相同且相互平行的接地线;将N根长度相同的针状电极通过导电环沿与接地线垂直的方向平行固定于接地线上;注塑绝缘填充浆,并对注塑形成的基体进行边缘切割使接地线两端裸露,形成单层电极基体;重复以上操作,得到M个单层电极基体;将M个单层电极基体层叠固化为基座胚体a;环绕基座胚体镀覆导电层,形成基座胚体b;沿相邻接地线的间隙方向将基座胚体b切片,得到若干个集成电路全抗静电基座。该制作方法制作出的基座可用于集成电路与电路板相连接,使所连接集成电路的每一个引脚得到抗静电保护。这样可节省大部分用于在芯片内部制作静电防护的晶源面积,同时使芯片的安全性得到充分的保障。

基本信息
专利标题 :
一种集成电路全抗静电基座制作方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113257680A
申请号 :
CN202110379155.0
公开(公告)日 :
2021-08-13
申请日 :
2021-04-08
授权号 :
CN113257680B
授权日 :
2022-06-10
发明人 :
王晶龚德权乔治吴丰顺
申请人 :
武汉芯宝科技有限公司
申请人地址 :
湖北省武汉市东西湖区东吴大道新城十三路武汉芯宝神盾工业园综合楼12F
代理机构 :
武汉开元知识产权代理有限公司
代理人 :
刘志菊
优先权 :
CN202110379155.0
主分类号 :
H01L21/48
IPC分类号 :
H01L21/48  H01L23/60  H01L23/498  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法,在器件组装之前制造或处理部件,例如容器
法律状态
2022-06-10 :
授权
2021-08-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/48
申请日 : 20210408
2021-08-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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