半导体构造及制作方法
公开
摘要
一种半导体构造包括位于光学装置之上的第一介电层。第一金属化层位于所述第一介电层之上，且第一导电线位于所述第一金属化层中。第一导电通孔位于所述第一金属化层中且接触所述第一导电线。第二金属化层位于所述第一金属化层之上。第二导电线位于所述第二金属化层中且在第一界面处接触所述第一导电通孔。加热器位于所述光学装置之上且具有低于所述第一界面的最下表面及高于所述第一界面的最上表面。
基本信息
专利标题 ：
半导体构造及制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628531A
申请号 ：
CN202110418735.6
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-04-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈建宏
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号（邮递区号30078）
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
薛恒
优先权 ：
CN202110418735.6
主分类号 ：
H01L31/02
IPC分类号 ：
H01L31/02 H01L31/024 H01L31/18
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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