钴表面上的钨沉积
实质审查的生效
摘要
本公开总体涉及钴表面上的钨沉积。在一些实施方式中，一个或多个半导体处理工具可以将钴材料沉积在半导体器件的腔内。一个或多个半导体处理工具可以抛光钴材料的上表面。一个或多个半导体处理工具可以对半导体器件执行氢浸泡。一个或多个半导体处理工具可以将钨材料沉积在钴材料的上表面上。
基本信息
专利标题 ：
钴表面上的钨沉积
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551337A
申请号 ：
CN202110630759.8
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-06-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
洪奇成吴佩雯王喻生张佩珊
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
朱亦林
优先权 ：
CN202110630759.8
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L23/528 H01L23/532 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20210607
申请日 : 20210607
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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