本发明公开了一种改善关断特性的MOSFET芯片制造方法，包括以下步骤：在所述隔离氧化层的两端打孔，获得两个电阻接触孔，所述电阻接触孔依次穿过介质层、隔离氧化层及轻掺杂多晶硅，并在沟槽区域打孔，获得一个源区接触孔，所述源区接触孔依次穿过介质层、栅氧化层、源区与体区。在所述电阻接触孔内成型第一金属连线和第二金属连线，所述源区接触孔内成型第三金属连线，将第一金属连线与第三金属连线连接，第二金属连线与栅极连接。本发明在芯片内部集成了多晶硅电阻，电阻两端分别连接于栅极和源极，可保证在关断时存储于栅极寄生电容中的电荷通过此电阻快速放电，从而保证芯片完全截止，避免了不能被完全关断的现象。