具有含锰导电栓塞的半导体元件结构及其制备方法
公开
摘要
本公开提供一种具有含锰导电栓塞的半导体元件结构及该半导体元件结构的制备方法。该半导体元件结构具有一第一导电层以及一介电层，该第一导电层设置在一半导体基底上，该介电层设置在该第一导电层上。该半导体元件结构亦具有一第一导电栓塞以及一衬垫层，该第一导电栓塞穿经该介电层并位于一图案密集区中，该衬垫层覆盖该介电层与该第一导电栓塞。该衬垫层与该第一导电栓塞包含锰。该半导体元件结构还具有一第二导电栓塞，穿经该衬垫层与该介电层，并位于一图案稀疏区中。该第二导电栓塞通过该衬垫层的一部分而与该介电层分隔开。此外，该半导体元件结构具有一第二导电层，覆盖该衬垫层与该第二导电栓塞。
基本信息
专利标题 ：
具有含锰导电栓塞的半导体元件结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613744A
申请号 ：
CN202111054684.X
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2021-09-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄登烟
申请人 ：
南亚科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新北市
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄艳
优先权 ：
CN202111054684.X
主分类号 ：
H01L23/522
IPC分类号 ：
H01L23/522 H01L23/528 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
