一种用于嵌入式功率芯片散热的歧管式微通道结构
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种用于嵌入式功率芯片散热的歧管式微通道结构，包括：歧管基板，微通道基板，冷却液进口，入口缓冲区，入口段，歧管进液通道，歧管出液通道。本发明采用歧管式微通道结构，缩短了冷却液在微通道中的流动长度，进而降低了冷却液的沿程流动阻力；利用热力入口段效应增强传热系数；采用HU进出口流型提高功率芯片表面均温性，减少热点发生，提高芯片表面的散热能力，进而可提高功率芯片的可靠性和使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
一种用于嵌入式功率芯片散热的歧管式微通道结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284223A
申请号 ：
CN202111295563.4
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-11-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陆军亮盛况杨树东吴赞任娜王珩宇钟浩冉飞荣陈浮熊丹妮成骥韦丽明史培丰杨嘉帆刘永坤
申请人 ：
浙江大学杭州国际科创中心
申请人地址 ：
浙江省杭州市萧山区建设三路733号
代理机构 ：
杭州裕阳联合专利代理有限公司
代理人 ：
吴文杰
优先权 ：
CN202111295563.4
主分类号 ：
H01L23/473
IPC分类号 ：
H01L23/473
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/46
包含有用流动流体传导热的
H01L23/473
通过流动液体的
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/473
申请日 : 20211103
申请日 : 20211103
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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