制造半桥的方法、半桥、用于逆变器的功率模块及逆变器
公开
摘要
本发明涉及一种用于制造用于电动车辆或混合动力车辆的电驱动器的半桥(10)的方法，半桥包括基板、半导体开关元件(24)、功率端子(14，16，18)和信号端子(20)，其中，由扁平导体框架形成、优选冲压成功率端子和信号端子，其中，将半导体开关元件嵌入在模块化设计的层系统中，层系统包括接触部平面(22)和用于接触半导体开关元件的金属化部，其中，将信号端子和功率端子布置在基板的第一表面上，其中，用浇注料(12)对模块化的层系统、信号端子和功率端子进行浇注，其中，功率端子和/或信号端子的在导体框架中形成的外部区段各自从与第一表面正交的第二表面、从浇注料延伸出来，其中，外部区段分别具有与第一表面垂直的端部。
基本信息
专利标题 ：
制造半桥的方法、半桥、用于逆变器的功率模块及逆变器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551259A
申请号 ：
CN202111316054.5
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-11-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
I·特伦茨M·雷曼T·博世R·拜伦维勒
申请人 ：
采埃孚股份公司
申请人地址 ：
德国腓特烈港
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
张建涛
优先权 ：
CN202111316054.5
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60 H01L23/49 H02M7/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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