铜合金引线框架的后处理工艺以及铜合金引线框架
公开
摘要
本申请涉及芯片载体制造的领域，具体公开了一种铜合金引线框架的后处理工艺以及铜合金引线框架。铜合金引线框架的后处理工艺，包括对铜合金引线框架进行喷砂处理、粗化处理、铜保护处理、密着剂处理、防银胶扩散处理以及烘干出料等步骤。其中，密着剂处理的方法为：将铜合金引线框架置于pH为4‑7的密着剂水溶液中浸泡；密着剂的分子结构中含有‑Si‑OR。铜合金引线框架，经过上述铜合金引线框架的后处理工艺处理而得。本申请在铜合金引线框架后处理中加入了密着剂处理工序，提高了铜合金引线框架的表面附着力，有利于提高铜合金引线框架与封装树脂之间的结合强度，进而提高了芯片、封装树脂和铜合金引线框架的结合紧密性，使芯片更好的发挥作用。
基本信息
专利标题 ：
铜合金引线框架的后处理工艺以及铜合金引线框架
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300365A
申请号 ：
CN202111427623.3
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-11-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
周武刘波李中泽黄傲方德军
申请人 ：
昆山弗莱吉电子科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市昆山市玉山镇锦淞路399号
代理机构 ：
北京维正专利代理有限公司
代理人 ：
李鑫伟
优先权 ：
CN202111427623.3
主分类号 ：
H01L21/48
IPC分类号 ：
H01L21/48 H01L23/495
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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