一种半导体引线框架的表面处理方法
公开
摘要
一种半导体引线框架的表面处理方法，属于引线框架技术领域。其特征在于，包括以下步骤：将浓度为3wt％～7wt％的稀硫酸利用喷雾设备将雾滴喷在半导体引线框架表面；将半导体引线框架引导至真空室，利用等离子设备处理半导体引线框架表面；将半导体引线框架引导至流化床，利用200℃～280℃的热风将半导体引线框架吹至悬空状态保持8min～17min；电镀铜后再次利用热风吹扫；超声波状态下向半导体引线框架施加保护焊剂。本发明旨在解决半导体引线框架的表面处理时产生大量的废酸、废水的问题，同时提高焊接强度，降低生产成本。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体引线框架的表面处理方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613682A
申请号 ：
CN202210272578.7
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-03-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王光亮
申请人 ：
淄博职业学院
申请人地址 ：
山东省淄博市联通路西首
代理机构 ：
淄博汇川知识产权代理有限公司
代理人 ：
周春
优先权 ：
CN202210272578.7
主分类号 ：
H01L21/48
IPC分类号 ：
H01L21/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
