引线框架
授权
摘要
本实用新型公开了一种引线框架，包括：晶粒座，用于承载晶粒；以及多个引线，环绕所述晶粒座布置，并分别电连接到所述晶粒；其中，所述晶粒座的周围设有至少一个台阶部，所述至少一个台阶部的顶面凸出于所述晶粒座的上表面形成凸部，所述至少一个台阶部的底面凹陷于所述晶粒座的下表面形成凹部。所述台阶部能够加长水汽侵入晶粒的路径，从而加强阻挡水汽侵入效果。
基本信息
专利标题 ：
引线框架
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123426285.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
CN216671624U
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
陈达志陈镇鸿华璋
申请人 ：
先进半导体材料（安徽）有限公司
申请人地址 ：
安徽省滁州市中新苏滁高新技术产业开发区文忠路288号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
谷达
优先权 ：
CN202123426285.X
主分类号 ：
H01L23/495
IPC分类号 ：
H01L23/495
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/495
引线框架的
法律状态
2022-06-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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