面向医疗应用且与半导体工艺兼容的红外成像芯片
授权
摘要
本申请提供面向医疗应用且与半导体工艺兼容的红外成像芯片,包括:P型半导体衬底,在半导体衬底内形成有两个第一N型区域,在两个第一N型区域的上方形成第一栅介质层,在第一栅介质层上形成有第一栅电极,在一个第一N型区域周围形成有第一源电极,在另一个第一N型区域周围形成有第一漏电极,在半导体衬底内形成第一衬底端;将第一源电极、第一漏电极以及第一衬底端连接后以形成固定电容晶体管的第一端,第一栅电极作为固定电容晶体管的第二端;第一栅电极连接幅值固定的电源端,电容晶体管的第一端与可变电容的第二端连接后与半导体衬底内的处理电路的输入端连接,固定电容晶体管的电容量等于可变电容的初始量,通过如此设置,实现信号读取。
基本信息
专利标题 :
面向医疗应用且与半导体工艺兼容的红外成像芯片
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113937121A
申请号 :
CN202111544939.0
公开(公告)日 :
2022-01-14
申请日 :
2021-12-17
授权号 :
CN113937121B
授权日 :
2022-04-15
发明人 :
刘伟张杰贾波刘刚
申请人 :
中国人民解放军火箭军工程大学
申请人地址 :
陕西省西安市灞桥区同心路2号
代理机构 :
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 :
孟秀娟
优先权 :
CN202111544939.0
主分类号 :
H01L27/146
IPC分类号 :
H01L27/146 A61B5/01 A61B5/00 H04N5/33 G01J5/48 G01J5/34
法律状态
2022-04-15 :
授权
2022-02-01 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/146
申请日 : 20211217
申请日 : 20211217
2022-01-14 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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