一种覆铜陶瓷基板局部镀银方法
实质审查的生效
摘要

本发明提供一种覆铜陶瓷基板局部镀银方法,通过成分限定制备一种耐酸碱、耐高温、易剥离的保护层感光干膜,采用贴合保护层感光干膜对不需要镀银的表面进行保护,镀完银后再去除保护层的方法来达到局部镀银的目的,使得镀银区域精度达到20μm;用环氧丙烯酸酯和脂肪族聚氨酯丙烯酸酯来制备保护层感光干膜,限定引发剂的添加量,在引发剂中加入异丙基硫杂葱酮促进光固化速率;偶氮苯接枝在介孔二氧化硅上,协同提高感光干膜的光敏性;引入羧基来消除显影时易出现的显影残留;环氧丙烯酸酯中加入含氟链段,大幅降低感光干膜表面能;限定感光干膜的厚度、纳米碳化硅的添加量、曝光时间来降低感光干膜的变形率,提高镀银区域精度。

基本信息
专利标题 :
一种覆铜陶瓷基板局部镀银方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114525500A
申请号 :
CN202111616276.9
公开(公告)日 :
2022-05-24
申请日 :
2021-12-28
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
杨恺俞晓东刘晓辉
申请人 :
南通威斯派尔半导体技术有限公司
申请人地址 :
江苏省南通市南通高新技术产业开发区双福路118号
代理机构 :
苏州广正知识产权代理有限公司
代理人 :
李猛
优先权 :
CN202111616276.9
主分类号 :
C23C18/42
IPC分类号 :
C23C18/42  C25D5/02  C25D3/46  C25D7/00  G03F7/004  G03F7/027  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18/00
通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆;接触镀
C23C18/16
还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18/31
用金属镀覆
C23C18/42
镀贵金属
法律状态
2022-06-10 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 18/42
申请日 : 20211228
2022-05-24 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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