一种局部镀银的引线框架

授权

摘要

本实用新型公开了一种局部镀银的引线框架，属于半导体元件技术领域，本实用新型包括设置在同一下边带上的若干个框架单元，相邻框架单元通过连接筋相连接，框架单元包括载片区、散热片，散热片上设有安装孔，载片区上沿着侧边分布有压印框，载片区的一角和框架部分、溅丝部上设有镀银点。本实用新型在现有技术的基础上，将镀银区域由全镀改进为点镀，既满足了导热、导电、抗腐化性能；并且有效的减少了镀银成本，减少了对芯片的干涉作用。

基本信息

专利标题：

一种局部镀银的引线框架

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201920918334.5

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-06-19

授权号：

CN209859943U

授权日：

2019-12-27

发明人：

沈健高迎阳陈奉明

申请人：

泰州东田电子有限公司

申请人地址：

江苏省泰州市高港区许庄兴旺路东侧

代理机构：

代理人：

优先权：

CN201920918334.5

主分类号：

H01L23/495

IPC分类号：

H01L23/495