一种硅料处理装置、硅棒生产设备和硅料处理方法
实质审查的生效
摘要

本发明提供一种硅料处理装置、硅棒生产设备和硅料处理方法。硅料处理装置包括:进料组件,用于传输硅料,所述进料组件包括沿传输方向依次设置的上料区、扫描区和装料区,其中,待传输的硅料在所述上料区添加至所述进料组件;扫描组件,对应所述扫描区设置,所述扫描组件用于采集位于所述扫描区的硅料的硅料信息,所述硅料信息包括硅料的形状特征和尺寸特征中的一项或多项;控制器,与所述扫描组件连接,所述控制器用于根据所述硅料信息生成装料策略;装料组件,对应所述装料区设置,所述装料组件用于根据所述装料策略将位于所述装料区的硅料移动至目标位置。本发明实施例而能够更加稳定的实现硅液的供给,降低了拉晶工序中,硅棒断线的可能性。

基本信息
专利标题 :
一种硅料处理装置、硅棒生产设备和硅料处理方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114318509A
申请号 :
CN202111622589.5
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2021-12-28
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
陈凡张鹏举郭超超
申请人 :
西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请人地址 :
陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室
代理机构 :
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 :
顾春天
优先权 :
CN202111622589.5
主分类号 :
C30B15/20
IPC分类号 :
C30B15/20  C30B15/02  C30B15/00  C30B29/06  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/20
控制或调节
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/20
申请日 : 20211228
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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