一种倒装GaN HEMT器件阵列的转移和异质集成方法及其...
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种倒装GaN HEMT器件阵列的转移和异质集成方法及其器件阵列，该方法通过设置包含有重掺杂GaN牺牲层和阻断漏电流通路的高阻层的GaN HEMT器件阵列结构，在器件的表面覆盖钝化绝缘层保护器件，通过在钝化绝缘层上开设通孔暴露源漏和栅极进而通过键合金属将其键合至目标基底，进一步地结合特定的电化学腐蚀方法，将HEMT阵列从刚性衬底释放，实现了器件阵列的无损剥离，释放了材料内部的应力，有效的解决了缓冲层和衬底漏电的问题，极大的提升了HEMT器件的性能，为HEMT器件与目标基底的异构集成提供了新渠道，极大的拓宽了电子电力器件的使用范围。
基本信息
专利标题 ：
一种倒装GaN HEMT器件阵列的转移和异质集成方法及其器件阵列
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334649A
申请号 ：
CN202111636734.5
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王幸福陈鑫林雨田董泽鑫
申请人 ：
华南师范大学
申请人地址 ：
广东省广州市中山大道西55号
代理机构 ：
北京清控智云知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
仵乐娟
优先权 ：
CN202111636734.5
主分类号 ：
H01L21/335
IPC分类号 ：
H01L21/335 H01L21/683 H01L25/07
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/335
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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