一种新型Si-SiC异质结隧穿MOSFET器件及其集成器...
实质审查的生效
摘要
本发明属于半导体器件技术领域，提供一种新型Si‑SiC异质结隧穿MOSFET器件及其集成器件，用以克服传统硅基MOSFET的二级效应。本发明采用N型硅半导体区与P型碳化硅半导体区、或者N型碳化硅半导体区与P型硅半导体区之间形成的Si‑SiC异质结结构，器件有效沟道为Si‑SiC异质结的结面，即有效沟道长为无限短，则不存在沟道长度调制效应，有效消除二级效应，进而克服SiC中反型层迁中电子移率低的问题；同时，本发明器件结构能够实现在同一衬底上NMOS与PMOS的隔离，进而实现反相器等结构，在SiC集成电路及SiC功率集成电路领域具有广阔的应用前景。
基本信息
专利标题 ：
一种新型Si-SiC异质结隧穿MOSFET器件及其集成器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512539A
申请号 ：
CN202210088057.6
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2022-01-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孔谋夫黄柯高佳成胡泽伟陈宗棋
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
代理机构 ：
电子科技大学专利中心
代理人 ：
甘茂
优先权 ：
CN202210088057.6
主分类号 ：
H01L29/165
IPC分类号 ：
H01L29/165 H01L29/06 H01L29/16 H01L29/739 H03K19/0175
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/165
申请日 : 20220125
申请日 : 20220125
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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