一种半导体元器件封装的方法

实质审查的生效

摘要

本发明公开了一种半导体元器件封装的方法，包括如下步骤，首先在基板的上表面形成一层镀锡层和一层底层，底层包括镀金凸块和防焊干膜；将芯片放置于镀金凸块上，并连接相邻的镀金凸块；在底层的上表面形成一层封装层，得到半成品；将半成品的基板剥离，并进行端电极处理，最后切割得到半导体元器件成品。本发明实现了底层与基板的分离，降低了半导体元器件的厚度，有利于半导体元器件超薄化的发展。

基本信息

专利标题：

一种半导体元器件封装的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114388365A

申请号：

CN202111655916.7

公开（公告）日：

2022-04-22

申请日：

2021-12-30

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

邓月忠温国豪徐松宏邱建兴黄正信

申请人：

丽智电子（昆山）有限公司

申请人地址：

江苏省苏州市昆山市高新区高科技工业园汉浦路989号

代理机构：

南京纵横知识产权代理有限公司

代理人：

董建林

优先权：

CN202111655916.7

主分类号：

H01L21/48

IPC分类号：

H01L21/48 H01L21/56

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/48

应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器

法律状态

2022-05-10 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/48
申请日 : 20211230

2022-04-22 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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