监测晶圆杂质的方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种监测晶圆杂质的方法，包括：将所有N型阱区串联；将所有P型阱区串联；向所述P型阱区施加测试电压，所述N型阱区接地，测得所述P型阱区的电流，或者向所述N型阱区施加测试电压，所述P型阱区接地，测得所述N型阱区的电流；若测得的所述N型阱区的电流或者所述P型阱区的电流的电流发生突变，则认为所述晶圆包含杂质。相对于现有技术，采用本发明的检测晶圆杂质的方法，可以在制作P型阱区、N型阱区后即可检测出晶圆是否包含杂质，提前发现不良品，防止产品出现早夭的情况，同时，提前发现了不良品，也可以减少浪费的时间。
基本信息
专利标题 ：
监测晶圆杂质的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334697A
申请号 ：
CN202111656770.8
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐敏陈雷刚朱月芹
申请人 ：
上海华力微电子有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区良腾路6号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
周耀君
优先权 ：
CN202111656770.8
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20211230
申请日 : 20211230
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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