一种真空镀膜系统及镀膜方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种等离子体真空镀膜系统和镀膜方法，包括涂层机及阴极装置，涂层机提供阳极，阴极装置包括靶台、靶材、空腔辅助阳极、第一脉冲电源、直流弧电源、第二脉冲电源和双极脉冲等离子体震荡器，靶材外侧设有通道，第一脉冲电源的正极与空腔辅助阳极电连接，第一脉冲电源的负极与靶材电连接，直流弧电源的正极电连接阳极，直流弧电源的负极与靶材电连接，第二脉冲电源的正极电连接阳极，第二脉冲电源的负极与工件电连接形成阴极，双极脉冲等离子体震荡器可横向产生振荡型等离子体。本发明能够实现弧光等离子体的横向和纵向的立体轰击，提高离化效率，避免产生液滴，沉积为无液滴的高硬、高致密涂层。
基本信息
专利标题 ：
一种真空镀膜系统及镀膜方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114411099A
申请号 ：
CN202111659155.2
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
曹时义王俊锋周敏
申请人 ：
广东鼎泰高科技术股份有限公司
申请人地址 ：
广东省东莞市厚街镇赤岭工业一环路12号之一2号楼102室
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
侯柏龙
优先权 ：
CN202111659155.2
主分类号 ：
C23C14/32
IPC分类号 ：
C23C14/32 C23C14/02 C23C14/06 C23C14/14 C23C14/54
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
C23C14/32
爆炸法；蒸发及随后的气化物电离法
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/32
申请日 : 20211230
申请日 : 20211230
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
