一种微纳三维混合结构的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种微纳三维混合结构的制备方法，包括：在衬底上依次形成金属膜层和光刻胶层；根据预设的版图图形，刻蚀所述光刻胶层，形成图形化的光刻胶层；去除所述金属膜层的显露区域，并保留所述显露区域注入所述衬底中的残留金属颗粒，所述显露区域为未被所述图形化的光刻胶层覆盖的金属膜层区域；去除所述图形化的光刻胶层；采用金属辅助化学腐蚀工艺处理所述衬底，通过所述金属膜层的催化和所述残留金属颗粒的催化，形成所述微纳三维混合结构。提供了一种在通过版图图形化腐蚀衬底的同时，也能在无版图图案设计的衬底区域形成特定结构的方法。
基本信息
专利标题 ：
一种微纳三维混合结构的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464527A
申请号 ：
CN202111679258.5
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李海亮张晓萌姚楚豪谢常青
申请人 ：
中国科学院微电子研究所
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京华沛德权律师事务所
代理人 ：
曹洪进
优先权 ：
CN202111679258.5
主分类号 ：
H01L21/306
IPC分类号 ：
H01L21/306 G03F7/42
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/306
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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