一种发射区与电极异面的VCSEL芯片结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种发射区与电极异面的VCSEL芯片结构，VCSEL芯片安装在基板上，基板包括有N电极连接区和P电极连接区，所述VCSEL芯片从下往上依次包括有衬底层、N‑DBR、谐振腔层、P‑DBR，P‑DBR的上端设有出光孔，所述衬底层的下端设有N电极和P电极，N电极与衬底层连接，N电极连接N电极连接区，P电极依次沿衬底层的下端面、衬底层的侧面、N‑DBR的侧面、谐振腔层的侧面、P‑DBR的侧面延伸后在P‑DBR的上表面与P‑DBR连接。本实用新型的发射区与电极异面的VCSEL芯片结构，N电极和P电极位于芯片的同一端，不用焊接金线连接P电极，避免由焊线导致的一系列缺陷，可以提升芯片的可靠性和良率。
基本信息
专利标题 ：
一种发射区与电极异面的VCSEL芯片结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122509977.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-18
授权号 ：
CN216563994U
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
詹健龙徐春朝姜昆郭飞
申请人 ：
浙江焜腾红外科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省嘉兴市经济技术开发区昌盛南路36号嘉兴智慧产业创新园10号楼104室
代理机构 ：
嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
程开生
优先权 ：
CN202122509977.4
主分类号 ：
H01S5/183
IPC分类号 ：
H01S5/183 H01S5/02335 H01S5/042
法律状态
2022-05-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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