适用于键合基板的原子层沉积设备
授权
摘要
本实用新型为一种适用于键合基板的原子层沉积设备，主要包括一反应腔体、一承载盘、一遮挡机构及一扩散单元，其中承载盘及扩散单元位于反应腔体的容置空间内。遮挡机构包括一连接杆及一遮挡板，其中遮挡板位于容置空间内并面对承载盘，而连接杆则穿过反应腔体并连接遮挡板。承载盘用以承载至少一键合基板，并带动承载的键合基板相对于遮挡机构位移，使得遮挡机构的遮挡板接触键合基板的上表面。当遮挡板接触键合基板的上表面时，扩散单元会位于键合基板的周围，并朝键合基板的侧表面输出前驱物，以在键合基板的侧表面上形成保护层。
基本信息
专利标题 ：
适用于键合基板的原子层沉积设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122771842.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-12
授权号 ：
CN216550690U
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
林俊成
申请人 ：
天虹科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹县
代理机构 ：
北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
孙皓晨
优先权 ：
CN202122771842.5
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455 C23C16/04 H01L21/67
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2022-05-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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